Número do Produto do Fabricante:
IPD10N03LA G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD10N03LA G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventário:
12801105
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPD10N03LA G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1358 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-11
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD10N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000017602
IPD10N03LAGXT
IPD10N03LA G-DG
IPD10N03LAG
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDD8880
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
13967
NÚMERO DA PEÇA
FDD8880-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPB016N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
IRFR3103TRR
MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
IPB90N06S404ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3